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厚聲電阻(以厚膜工藝為代表)的等效串聯(lián)電感(ESL)對高頻信號完整性具有顯著負(fù)面影響，其核心機(jī)理與表現(xiàn)如下： 一、ESL對高頻信號完整性的破壞機(jī)制 阻抗失配與信號畸變 計算公式：ESL引...[查看詳情]
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MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子電路的核心元件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)中天然存在的寄生二極管(體二極管)對電路性能具有雙重影響。這一特性在高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、電池保護(hù)等場景中尤為關(guān)鍵，既可能引發(fā)...[查看詳情]
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國巨Y5V與X7R電容在低頻濾波中的性能差異主要體現(xiàn)在容量穩(wěn)定性、溫度特性及適用場景上，X7R電容因容量穩(wěn)定性強(qiáng)、溫度漂移小，更適合高精度低頻濾波；Y5V電容雖容量大但穩(wěn)定性差，適用于對精度要求不高的低成本場景...[查看詳情]
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三星CL05A105KP5NNNC貼片電容憑借其0402超小封裝（1.00mm×0.50mm×0.55mm）和多層陶瓷結(jié)構(gòu)（MLCC），在消費電子領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的小型化優(yōu)勢，具體分析如下： 一、核心參數(shù)與小型化設(shè)計 1、封...[查看詳情]
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